（ブルームバーグ）：中国の華為技術（ファーウェイ）は、業界首位の台湾積体電路製造（TSMC）との差を縮める新たな手法を開発したと明らかにした。最先端設備を使わずに先端半導体を製造する上で、突破口となる可能性がある。

TSMCの技術水準と、ファーウェイおよび製造提携先の中芯国際集成電路製造（SMIC）が生産可能な半導体との間には現在、およそ5年の差がある。ファーウェイの半導体部門トップ、何庭波氏は25日、独自の「LogicFolding」技術を用いて、2031年までに1.4ナノメートル半導体の製造を開始すると述べた。一方、TSMCはこれに先立ち、同製品の量産を28年に開始すると表明している。

ファーウェイが1.4ナノメートル半導体を大量生産できれば、5ナノメートル以下の先端半導体を量産するには、オランダのASMLホールディングが供給する最先端の極端紫外線（EUV）露光装置が不可欠だとする業界の共通認識を覆すことになる。こうした半導体は、最先端の人工知能（AI）技術を支える用途に使われている。

ナノメートルという単位は、半導体チップ上のトランジスタサイズを示す指標として用いられる。トランジスタが小型化するほど、1枚のチップに一層多く搭載でき、結果として性能も高まる。ASMLのEUV装置は、トランジスタの微細化に不可欠と見なされている。

ファーウェイは、米国主導による長年の多国間輸出規制強化を受け、中国の半導体自給自足推進の最前線にある。こうした規制は、先端半導体や製造装置の輸出を制限することで、中国のAI開発の進展を一定程度抑制している。

ファーウェイは昨年9月、米エヌビディアの最先端半導体の中国向け販売が禁止されていることで生じた空白を埋めるため、一連のAI半導体の提供を開始する3年間のロードマップを発表していた。

原題：Huawei Touts Chipmaking Breakthrough to Shorten Gap With TSMC（抜粋）

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