（ブルームバーグ）：中国の電気自動車（EV）メーカー、比亜迪（BYD）は、4ナノメートルの車載用半導体を含む最新技術を発表した。同半導体は自動運転向けで中国初だとしている。

新型半導体の投入により、中国の華為技術（ファーウェイ）との競争は一段と激しくなりそうだ。ファーウェイは現在、7ナノメートル世代の半導体を製造しており、2031年までに1.4ナノメートル半導体を投入する方針を表明している。小鵬汽車や小米（シャオミ）など競合がひしめく中国EV市場で、BYDは新型半導体を武器に運転支援技術を強みにする考えだ。

BYDは8カ月連続で販売が減少。高度な充電技術や自動運転関連技術を巡る競争も激しさを増す中、同社は自社製品の需要喚起を目指している。

BYDの王伝福最高経営責任者（CEO）は28日、深圳本社で開いたイベントで、新型半導体「璇璣A3」を発表した。業界最高水準の電力効率を備え、同種の半導体に比べ消費電力を20%抑えたと説明した。

世界最先端の半導体は、台湾積体電路製造（TSMC）が製造する2ナノメートル世代の「N2」だ。ナノメートルは半導体上のトランジスタの大きさを示す指標で、微細化が進むほど、半導体により多くのトランジスタを搭載でき、性能向上につながる。

璇璣A3は、BYDが新たに投入する中央演算プラットフォームの中核を担う。BYDによると、スマートコックピット、高度運転支援機能、電動駆動システムという3つの領域は、これまでEV内で別々に制御されていたが、統合ソフトウエアによって処理を高速化できるという。

BYDは、自動運転車の一般向け導入を認める中国の法整備が2027年にも実現すると見込んでいる。楊冬生・上級副社長によると、時期が来たら同社はその段階の自動運転製品を投入できる体制を整えている。

原題：BYD Debuts China’s Most Advanced EV Chip in Smart-Driving Push（抜粋）

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