（ブルームバーグ）：韓国のサムスン電子は、最先端のメモリー技術の一端を披露し、性能と電力効率の向上を強調した。韓国SKハイニックスや米マイクロン・テクノロジーとの長期的な主導権争いで優位に立つ狙いがある。

新システムは、AIアクセラレーターの上に広帯域メモリー（HBM）を垂直に積層する。次世代のHBM5と比べ、約8倍の性能を実現するとサムスンは発表資料で説明した。先端的なウエハー接合技術を使い、メモリー密度もHBM5の10倍超に高めるほか、顧客仕様に合わせた設計も可能になる。

2026年7－12月（下期）にはHBM4の生産を拡大する計画だ。HBM5や今回示した将来技術については、明確な日程をまだ公表していない。

約1兆ドル（約158兆円）規模のメモリー市場では、激しい競争が続く。同社は、AI向けメモリー需要の拡大を早くから取り込んだSKハイニックスやマイクロンとしのぎを削っている。

各社が収益性の高いデータセンター契約の獲得や増産を急ぐ中、競合に先駆けて次世代アーキテクチャーを投入できるかが、大口顧客から採用を取り付ける上で重要になっている。

「zHBM」と呼ばれる新システムは、AI時代のインフラを一貫して提供する企業を目指す同社の姿勢を鮮明にした。また、V-NAND技術を基盤とする次世代NANDソリューション「zNAND-O」も発表し、リアルタイムで大量のデータを処理するAI用途に適していると説明した。

さらに、400層を超える新たなウエハー接合構造を採用した業界初の「V10 BV-NAND」アーキテクチャーを披露した。前世代に比べてメモリー密度を約60%高めるとともに、読み書き速度を向上させた。このほか、次世代のメモリー内演算チップや、大容量の企業向けストレージ製品を盛り込んだ開発計画も示した。

原題：Samsung Reveals New 3D-Memory Roadmap in Bid for AI Tech Lead（抜粋）

もっと読むにはこちら bloomberg.com/jp

©2026 Bloomberg L.P.