ストレスに応答した発現上昇のメカニズムを考察

ストレスに応答した発現上昇のメカニズムを考察するためにプロモータ領域に形成されるステムループ構造の熱力学パラメータをmFoldで計算しました。
発現量が10倍以内に抑制されるdnaK1はΔGが負に大きく,数十倍以上に誘導されるdnaK2, dnaK3は二次構造が不安定であることが示されました。
groES/ELの法はΔGが近い値を取っており、二次構造の熱的パラメータの上にさらに別の制御要因があるのかも知れません。

ストレスに応答した発現上昇のメカニズムを考察するためにプロモータ領域に形成されるステムループ構造の熱力学パラメータをmFoldで計算しました。
発現量が10倍以内に抑制されるdnaK1はΔGが負に大きく,数十倍以上に誘導されるdnaK2, dnaK3は二次構造が不安定であることが示されました。
groES/ELの法はΔGが近い値を取っており、二次構造の熱的パラメータの上にさらに別の制御要因があるのかも知れません。





